仕様パラメータ
- 三相1200V/550A SiCスマートパワーモジュール (CXT-PLA3SA12550AA)
- OLEA T222 FPCUによるコントローラボード
- ISO-26262ベースASIL-D認証設計
- エネルギー効率の高いシステムの先進的な制御アルゴリズム
- 磁場配向制御と最高50 kHzの可変SVPWMスイッチによる閉ループ制御は、短いデッドタイム補償がある
- パワーデバイスのジャンクション温度:-40 °Cから175 °C
- ゲートドライバ周囲温度:-40 °Cから125 °C
- 漏れ源破壊電圧: 1200v
- 低オン抵抗: 2.53mOhmsの典型値。
- 最大持続電流:Tf = 25 °C时550A
- 液体冷却のための軽量AlSiCニードルフィン基板
- 結殻熱抵抗: 0.167 °C/W (標準値)
- スイッチ損失 @ 600V/300A:Eon = 7.48mj/Eoff = 7.39mJ
- スイッチング周波数: 最大50khz
- 絶縁 (底板-電源ピン):3600vac @ 50Hz (1min)
- コモンモードの一時的な耐ノイズ度:>50kv/μ s
- 低寄生容量 (一次-二次): 各相の標準値11pF
- ゲートドライバ保護:
- 低電圧ロック (uv lo)
- 脱飽和保護
- ソフトシャットダウン (SSD)
- マイナスゲート駆動 (-3V)
- アクティブミラークランプ (AMC)
- ゲートソース短絡保護
