Parâmetros de especificação
- Trifásico 1200V/550A SiC Módulo de Potência Inteligente (CXT-PLA3SA12550AA)
- Placa de controlador baseada em OLEA T222 FPCU
- Projeto de certificação baseado em ASIL-D ISO-26262
- Algoritmo de controle avançado para sistemas eficientes em energia
- Controle de circuito fechado baseado em controle direcional de campo magnético e comutadores SVPWM variáveis de até 50 kHz com compensação de tempo de zona morta curta
- Temperatura de junção do dispositivo de potência:-40 °C a 175 °C
- Temperatura ambiente da unidade de comporta:-40 °C a 125 °C
- Fonte de vazamento Tensão de ruptura: 1200V
- Resistência de baixa condutividade: 2.53mOhms valor típico.
- Corrente máxima contínua:550A em Tf = 25 °C
- AlSiC leve substrato de asa de agulha para resfriamento líquido
- Resistência térmica da crosta: 0,167 °C/W (valor típico)
- Perda de comutação @ 600V/300A:Eon = 7.48mJ/Eoff = 7.39mJ
- Frequência de comutação: 50kHz máximo
- Isolamento (placa de base-pino de energia):3600VAC @ 50Hz (1min)
- Resistência transitória de modo comum:>50kV/μs
- Capacitância parasitária baixa (primária-secundária): um valor típico de 11pF por fase
- Proteção da unidade de portão:
- Bloqueio de subtensão (UVLO)
- Proteção de dessaturação
- Desligamento suave (SSD)
- Acionamento de portão negativo (-3V)
- Luto de alicate de Mille ativo (AMC)
- Proteção contra curto-circuito da fonte da grade
