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领先的电子元器件分销商 - 邦晶科技 | BonChip-CMT-PLA1BL12300M

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CMT-PLA1BL12300M

CMT-PLA1BL12300MA是一款基于沟槽栅场截止技术的1200V/300A半桥IGBT功率模块。该模块专为严苛的工业应用而设计和认证,具有低饱和电压特性,可持续承受高达450A的集电极直流电流。其特点还包括快速开关特性与短拖尾电流,以及为快速柔和反向恢复而优化的续流二极管。该模块保证在-40°C至+175°C的完整结温范围内可靠运行。

CMT-PLA1BL12300M

详细资讯

优势

  • 沟槽栅场截止技术

  • 具有正温度系数的集电极-发射极饱和电压

  • 快速开关与短拖尾电流

  • 具备快速柔和反向恢复特性的续流二极管

  • 最高结温达 175°C

  • 低开关损耗

主要特性

  • 最高集电极电压:1200V

  • 直流集电极电流:

    • @ TC=90°C:450A

    • @ TC=125°C:> 300A

  • 低饱和电压:

    • VCE(sat)= 1.56V @ IC=300A, Tj=25°C

    • VCE(sat)= 1.78V @ IC=300A, Tj=150°C

  • 低开关能量:

    • 开通能量 Eon= 34mJ @ Tj=150°C

    • 关断能量 Eoff= 34.5mJ @ Tj=150°C

  • 栅极电荷:QG=2.3μC

  • 工作温度范围:-40°C 至 +175°C(结温)

  • 封装形式:CPAK-EDC

应用领域

  • 高频开关

  • 医疗应用

  • 运动/伺服控制

  • 不间断电源系统与电源供应器