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CISSOID

CXT-PLA3SA12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET智能功率模块

CXT-PLA3SA12340A是一款三相 1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和基于 CISSOID HADES2 芯片组的栅极驱动器。该模块通过轻型 AlSiC Pin Fin 基板进行冷却,可解决高功率密度转换器的问题,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案充分发挥了 SiC 技

CXT-PLA3SA12340A 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET智能功率模块

详细资讯

特点:

  • 功率器件结温:-40°C 至 +175°C
  • 栅极驱动器环境温度:-40°C 至 125°C
  • 漏源击穿电压:1200V
  • 低导通电阻:4.19mOhms 典型值。
  • 最大持续电流:Tc=25°C/90°C 时为 340A/260A
  • 用于液体冷却的轻型 AlSiC 针翅基板
  • 结壳热阻:0.167 °C/W(典型值)
  • 开关损耗@ 600V/300A:Eon=7.48mJ/Eoff=7.39mJ
  • 开关频率:最大 50kHz
  • 隔离(底板 - 电源引脚):3600VAC @50Hz (1min)
  • 共模瞬态抗扰度:>50kV/μs
  • 低寄生电容(初级-次级):每相典型值 11pF
  • 栅极驱动器保护:
        欠压锁定 (UVLO)
        去饱和保护
        软关机关闭 (SSD)
        负栅极驱动 (-3V)
        有源米勒钳位 (AMC)
        栅源短路保护




应用:

  • 电动汽车 (EV) 电机驱动
  • 重型电机驱动器和有源整流器
  • 工业电机驱动