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CISSOID

CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，

CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

详细资讯

规格参数

功率器件结温：-40°C 至 +175°C
栅极驱动器环境温度：-40°C 至 125°C
漏源击穿电压：1200V
低导通电阻：3.25mOhms（典型值）
最大连续电流：Tc=25°C/90°C 时为 340A/260A
轻质 AlSiC 平面基板
结至外壳热阻：0.183 °C/W（典型值）
开关能量@ 600V/300A：Eon=8.42mJ/Eoff=7.05mJ
开关频率：最大 50kHz
隔离（底板 - 电源引脚）：3600VAC @50Hz（1 分钟）
共模瞬态抗扰度：>50kV/μs
低寄生电容（初级-次级）：每相典型值为 11pF
栅极驱动器保护：
- 欠压锁定 (UVLO)
- 去饱和保护
- 软关机（SSD）
- 负栅极驱动（-3V）
- 有源米勒钳位 (AMC)
- 栅源短路保护

应用领域

电动汽车 (EV) 电机驱动
重型电机驱动器和有源整流器
工业电机驱动器
航空航天电机驱动器和机电执行器